avanço de memória de nanotubos de carbono de Nantero

Depois de 14 anos em cautela – algum tipo de registro – tecnologia NRAM de Nantero está tendo uma festa de debutante hoje. NRSM poderia flash drive do datacenter.

Fundada em 2001, na produção desde 2004, com um dos maiores portfólios de patentes em semicondutores e instalados em 7 grandes fábricas, Nantero pretende ser o ARM da tecnologia de memória não-volátil. Eles não vão construir batatas fritas, apenas licenciar sua tecnologia para fabricantes de chips, como a do Reino Unido ARM Holdings licencia seus projetos de sistemas ARM para a Apple, Samsung e todos os outros.

A maioria da sua produção até à data tem ido para aplicações industriais ou militares especializados. Precisa de armazenamento que funciona na extremidade profunda de um poço de petróleo? NRAM.

Nantero diz sua tecnologia tem várias vantagens importantes.

Tomados em conjunto, esses atributos significa que NRAM pode substituir flash e DRAM. Imagine um sistema com um grande nível, único de memória e armazenamento, que não precisa de nivelamento de desgaste e coleta de lixo, como flash, sem a energia sugando ciclos de atualização de DRAM.

O que é útil é que NRAM podem ser fabricados em DRAM, linhas de flash e sistema de produção, apenas com a adição de uma garrafa CNT na pista. Nantero tem projetos 3D, bem que poderia colocar um terabit – 128GB – em um único chip.

A um custo muito sem adição, em comparação com DRAM. “Há muitas camadas de máscara e muitos passos complicados necessários para fazer uma estrutura de condensador na DRAM. Em vez disso, está substituindo com um que apenas uma camada de nanotubos de carbono para armazenar os dados, a substituição de um elemento de custo elevado com um elemento de baixo custo “, disse Greg Schmergel, CEO da Nantero, quando falei com ele recentemente.

NRAM funciona como um interruptor de luz: uma tensão maior do que a ler é aplicado, fazendo com que os nanotubos de carbono para mover fisicamente, criando ou quebrar conexões. força física do CNT protege-los de danos.

Nanotubos de carbono conduzem eletricidade, bem como cobre, sendo mais forte que o aço e tão duro como diamante. processo de Nantero estabelece um tecido não-tecido de nanotubos de carbono entre dois eletrodos.

Graças a forças de nível quântico, um pequeno mas maior do que o ler de tensão irá causar uma célula NRAM em “0” para virar para um “1” e a mesma tensão faz com que um “1” para inverter a um “0”. Uma vez que capotou o tecido CNT é muito estável.

Nantero acredita que os chips 1TB são possíveis com múltiplas camadas de NRAM CNT. simplicidade estrutural e elétrica do NRAM é a chave.

A corrida para a NVRAM viável está em seus estágios finais. memristor da HP, RRAM da Barra e agora, NRAM de Nantero, são todos tecnicamente sólida, apoiada por dezenas de milhões de dólares em P & D, e perto de liberação mercado amplo.

Quem ganha? Todos nós fazemos. Flash é longe do ideal como um meio de armazenamento, mas suas poucas vantagens sobre discos têm revolucionou o armazenamento de dados.

Rápido como DRAM – com muito menor consumo de energia; resistência ilimitada; não-volatilidade -> 1000 anos na 85C; picosecond comutação – tão rápido quanto qualquer DRAM; tamanhos característicos menores do que Flash – testado até 5 nm

As novas memórias não voláteis de classe de armazenamento permitirá radicalmente novas arquiteturas de sistemas que eliminam muitos dos arounds de trabalho tradicionais para o acesso de dados é lenta. Mesmo se CPUs não chegar mais rápido, sistemas NVRAM vai.

Comentários bem-vindos, como sempre.

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